PatentDB.ru — поиск по патентным документам

МО Цинвэй (US)

Изобретатель МО Цинвэй (US) является автором следующих патентов:

Прочная структура сид (светоизлучающего диода) для отделения подложки

Прочная структура сид (светоизлучающего диода) для отделения подложки

Изобретение относится к светоизлучающим диодам, смонтированным методом перевернутого кристалла. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечивают перевернутый кристалл светоизлучающего диода (СИД) на подложке, при этом кристалл СИД находится между платой и подложкой, причем подложка шире и длиннее, чем кристалл СИД, обеспечивают изолирующи...

2477906