МО Цинвэй (US)
Изобретатель МО Цинвэй (US) является автором следующих патентов:
Прочная структура сид (светоизлучающего диода) для отделения подложки
Изобретение относится к светоизлучающим диодам, смонтированным методом перевернутого кристалла. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечивают перевернутый кристалл светоизлучающего диода (СИД) на подложке, при этом кристалл СИД находится между платой и подложкой, причем подложка шире и длиннее, чем кристалл СИД, обеспечивают изолирующи...
2477906