Орлов О.М.

 Устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор, блок управления, первый выход которого соединен с первым входом блока смещения, второй вход которого соединен с первым выходом формирователя временных интервалов и первым входом формирователя строб-импульсов, второй вход которого соединен с выходом первого нуль-компаратора, вход которого подключен к выходу первого син...

 Изобретение относится к области получения синтетических кристаллов, а именно монокристаллов кварца больших размеров и необходимого качества, используемых, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике. Сущность изобретения: в способе выращивания кристаллов синтетического кварца гидротермальным методом, включающем перекристаллизацию кварцевой ш...

 Использование: в микроэлектронике, при изготовлении интегральных схем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ изготовления мощного сильноточного МОП транзистора включает операции формирования областей стока 1-го типа проводимости МОП транзистора, маскирующего диэлектрика на поверхности пластины, углублений для выделения на пластине монокристаллических участков, тонкого...