Ушанкин Юрий Владимирович (UA)

 Изобретение относится к способам обработки выращенных слитков монокристалла кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин солнечных элементов фотовольтаических модулей. Задачей изобретения является обеспечение улучшения качества и снижения брака слитков, снижение безвозвратных потерь кремния. Способ включает определение кристаллографических плос...

 Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского. Сущность изобретения: способ включает вытягивание слитка из расплава на затравку, отрыв его от расплава, отделение слитка от затравки, подпитку расплава и вытягивание следующего слитка, в котором при вытягивании слитка к...

 Изобретение относится к области определения структуры кристалла кремния и может быть использовано при определении бездефектной зоны монокристалла кремния при выращивании кристаллов по методу Чохральского. Сущность изобретения способа заключается в определении параметра выращенного кристалла с нарушенными гранями роста монокристалла, в котором измеряют длину цилиндрической части выращенног...