Шульга Юрий Григорьевич (UA)

 Изобретение относится к способам обработки выращенных слитков монокристалла кремния и может быть использовано при изготовлении монокристаллических кремниевых пластин солнечных элементов фотовольтаических модулей. Задачей изобретения является обеспечение улучшения качества и снижения брака слитков, снижение безвозвратных потерь кремния. Способ включает определение кристаллографических плос...

 Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при получении монокристаллов кремния методом Чохральского. Сущность изобретения: способ включает вытягивание слитка из расплава на затравку, отрыв его от расплава, отделение слитка от затравки, подпитку расплава и вытягивание следующего слитка, в котором при вытягивании слитка к...

 Изобретение относится к области определения структуры кристалла кремния и может быть использовано при определении бездефектной зоны монокристалла кремния при выращивании кристаллов по методу Чохральского. Сущность изобретения способа заключается в определении параметра выращенного кристалла с нарушенными гранями роста монокристалла, в котором измеряют длину цилиндрической части выращенног...

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского, в частности к устройствам для повторной загрузки материала в тигель, и может быть использовано на установках выращивания монокристаллов кремния, оборудованных шлюзовым устройством для обеспечения полунепрерывного выращивания монокристаллов. Сущность изобретения: устройство включает резервуар, жестко связанн...

 Изобретение относится к области выращивания монокристаллов кремния, в частности к выделению отдельных частей слитков монокристаллов, в которых концентрация примеси углерода имеет заданные значения. Сущность изобретения: способ выделения части слитка выращенного монокристалла кремния с заданной концентрацией примеси углерода включает определение концентрации углерода на нижнем торце слитка...

 Изобретение предназначено для полупроводниковой промышленности. В кварцевый тигель загружают поликристаллический кремень. Устанавливают цилиндрический экран диаметром 235-240 мм соосно выращиваемому монокристаллу, нижний конец которого размещают над плоскостью расплава на высоте h, определяемой по формуле h=(А-D)/В, где D - заданный диаметр выращиваемого слитка монокристалла кремния, равн...

 Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при выращивании монокристаллов кремния из расплава по методу Чохральского. Сущность изобретения: устройство для выращивания монокристаллов кремния по методу Чохральского включает камеру выращивания монокристалла с расположенным в ней тиглем для получения расплава и вытягивания и...

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов. Способ включает формирование барийсодержащего покрытия из гидроксида бария на внутренней и/или внешней поверхности нагретого кварцевого тигля, которое формируют напылением суспензии из гидроксида бария в атмосфере воздуха на поверхности кварцевого тигля, нагретого до температуры 100-150°С. Это позволяет...