БИЛАН О.Н.
Изобретатель БИЛАН О.Н. является автором следующих патентов:
![Способ раздельной регистрации доз гамма-радиации и быстрых нейтронов в смешанных полях излучений Способ раздельной регистрации доз гамма-радиации и быстрых нейтронов в смешанных полях излучений](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7d99fbc18f89b1d44226cba6ac6faa56.jpg)
Способ раздельной регистрации доз гамма-радиации и быстрых нейтронов в смешанных полях излучений
СПОСОБ РАЗДЕЛЬНОЙ РЕГИСТРА1ШИ доз ГАММА-РАДИАЦИИ .И БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ В CMEDlAHHbK ПОЛЯХ ИЗЛУЧЕНИЙ , основанный на помещении детектора в исследуемое поле ,облучение его этим полем и регистрации интенсивности I полос люминесценции, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых доз, повышения точности и сохранения информации , в качестве детектора используют оптиче...
1090138![Способ получения активной среды лазера Способ получения активной среды лазера](https://img.patentdb.ru/i/200x200/1bf292463e5be30eb7085b6ce6cd45cb.jpg)
Способ получения активной среды лазера
Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано для создания активных элементов и пассивных затворов в лазерах . Целью изобретения является повышение КПД лазера при одновременном расширении спектрального диапазона генерации .Для достижения поставленной Дели производят оптическую обработку кристалла,затем помещают данный кристалл в кадмиевый контейн...
1308131