Кукушкин С.А.

 Использование: при изготовлении полупроводниковых приборов, а именно в способах получения слоя полупроводника III-нитрида (GaN, AlN, InN) на чужеродной подложке путем газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений (МОС). Применение: при создании полупроводниковых лазеров, светодиодов, ультрафиолетовых фотоприемников, высокотемпературных диодов, транзисторов. Сущность...

 Изобретение относится к ветеринарной вирусологии и биотехнологии. Производственный штамм "БД" вируса РРСС получен путем многократных последовательных пассажей на 3-суточной культуре клеток Marc-145. Штамм "БД" депонирован в коллекции штаммов микроорганизмов ВГНКИ под регистрационным шифром "БД-ДЕП". Штамм "БД" отличается как от производственных, так и от ранее выделенных штаммов вируса РР...