ШАФРАН АНДРЕЙ ГРИГОРЬЕВИЧ

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОГРАНИЧНЫХ СОСТОЯНИЙ В ЬадП-ТРАНЗИСТОРАХ , включающий охлаждение транзистора , измерение зависимости тока стока транзистора от напряжения смещения при фиксированном значении напряжения исток-сток и определение спектра пограничных состояний расчетным путем, отличающийс я тем, что, с целью увеличения чувствительности способа, транзистор охлаждают до т...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и фотоэлектронике и может быть использовано, для контроля параметров полупроводников. Цель - обеспечение возможности определения сечения фотоионизации примесных центров. Образец снабжают двумя токовыми контактами и четырьмя потенциальными зондами. Воздействуют на охл.ажденный образец магнитным полем с одновременным облучением повер...

  Назначение: изобретение относится к области полупроводниковой техники и фотоэлектроники и может быть использовано для контроля однородности фоточувствительности полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: поверхность пластин сканируют лазерным лучом. Модулируют диаметр лазерного луча в процессе сканирования. Регистрируют переменную составляющую фотосигнала, 1 ил. СОЮЗ СО...

  Сущность изобретения: измеряют низкочастотную вольтфарадную характеристику в цепи между затвором и истоком-стоком при потенциале подложки, равном потенциалу истока-стока. Измеряют низкочастотную вольтфарадную характеристику в цепи между затвором и подложкой при тех же условиях. Изменяют высокочастотные вольтфарадные характеристики в цепи исток-сток и в цепи подложки. По измеренны...