СУЛЬЖИЦ С.А.

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (st)s Н 01 21/265 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ик" гъ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3500767/25 (22) 18.10.82 (46) 07.03.93. Бюл. М 9 (72) Ю.В.Агрич, M.M.Èâàíêoâcêèé и С.А. Сульжиц (56) А fully lmpllanted MOS-S MOS blpollar techology for VLSI of Analog — Begita1 slstems. J.IEEE...

  Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при создании аналоговых К-МОП интегральных схем, например, JC-MOn аналого-цифровых преобразователей . Целью изобретения является повышение надежности интегральной схемы при нулевом уровне синфазных потенциалов на входах дифференциального усилителя. Штегральная схема содержит дифференциальный усыпительны...

  Изобретение относится к. микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов. Цель изобретения - повьппение воспроизводимости размеров при формировании идентичных Элементов. Для этого идентичные элементы 1 и 2 получают путем N-кратного экспонирования прямоугольных фрагментов 3, ширина W каждого из. .которых может отличаться на величину погрешности t W, связан...

  Изобретение относится к электронной технике, к способам создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности и быстродействия интегральных схем. Согласно изобретению на кремниевую подложку со сформированными МОП- транзисторами последовательно осаждают слои титана и молибдена. Затем напыляют слой кремния. Проводят термообработку...

  Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем прецизионрезистивных делителей напряжения, операционных усилителей. Целью изобретения является увеличение годных резисторов и резистивных делителей путем повышения точности воспроизведения отношений сопротивлений резисторов и улучшение термовременной стабильности. Цель достига...

  Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МОП-интегральных схем с поликремниевыми прецезионными резисторами. Цель изобретения - повышение выхода годных интегральных схем и их надежности за счет повышения точности согласования сопротивления поликремниевых резисторов и их временной стабильности под токовой нагрузкой. На кремниево...

  Изобретение откосится к электронной технике и может быть использоэано при разработке аналоговых интегральных схем операционных усилителей, компараторов напряжений, аналого-цифровых преобразователен и других схем, содержащих К-МОП дифференциальные усилители. Цель изобретения - расширение диапазона входных синфазных сигналов, повышение коэффициентов усиления и подавления синфазных...

  3 СОНЕТСКИК СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „„Я0„„! 635;!. » (51) 5 Н 01 !. 21/336 ОПИСЛНИК ИЗОБРЕтенйл К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ flO ИЭОБРЕ П. КИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР (6) 1.;.04.Я. Вюл. 14 (21) 4701076/25 (22) 08.06.89 (72) !!.И. Иванковский, С.Л. Сульж»щ и ИВ. Агрич (56) Заявка ЕПВ Р 729G7, кл. Н 01 21/82, 1983. Патент С!»!А 4408385, кл. !! 0...