КАСИМОВ КУРБАН ИСМАИЛ ОГЛЫ

  СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ГЕРМЕТИЗИРУЕМЫХ ДЕТАЛЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА ПЕРЕД ХОЛОДНОЙ СВАРКОЙ, включающий нанесение покрытия гальванического никеля толщиной 0,01-0,2 толщины основы соединяемых деталей, отичающийся тем, что, с целью повышения прочности и герметичности сварочного соединения, и коррозионной стойкости прибора гальваническое покрытие выполняют двухслойным,...

  Назначение: технология герметизации полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: к плоскому элементу основания корпуса, на котором собрана внутренняя арматура прибора, прижимают полимерную полую заготовку стенок корпуса . В качестве материала заготовки стенок корпуса используют прёмикс. а толщину d стенок заготовки выбирают из выражения 0,031-макс d 0,, где 1Мзкс - наибольши...