АСЕЕВ А.Л.

  СПОСОБ ИЗ ГО ТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий бомбардировку полупроводниковой пластины : . ионами и термообработку при темпераг. туре 670-JOOO К, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью улучшения качества полупррводниковых приборов и интегральных схем путем устранения образовавшихся стержнеобразных дефектов , после термообработки пров...

  Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологическом процессе изготовления полупроводниковых приборов. Целью изобретения является увеличение эффективности геттера для пластин кремния с содержанием кислорода не менее 6-1017 см . Цель достигается тем. что формируют внутренний геттер в процессе трехступенчатого отжига. Перед отжигом проводят окисле...