ФУКС Б.И.
Изобретатель ФУКС Б.И. является автором следующих патентов:
Полевой транзистор
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, выполненный на полупроводниковой подложке и содержащий изолированный электрод затвора, электроды стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия , электроды стока и истока отделены от подложки туннельно-прозрачным диэлектриком и выполнены из материала, работа выхода 9 которого определяется из соотношения .,,,,Е, « Ое работа выхода с эне...
1103762