Овчинникова Т.Ю.

 Использование: в технологии получения полупроводниковых материалов для определения полярных граней полупроводниковых соединений типа AIIIBV (GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb) и в частности при ориентации монокристаллических слитков и пластин. Сущность изобретения: фотографируют каплю раствора на каждой грани монокристалла полупроводникового соединения, затем обмеряют краевые углы смачиван...