Аронов В.Л.

 Использование: в полупроводниковой электронике, конструкциях мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит транзисторные кристаллы с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса, являющемся общим выводом коллекторных или стоковых электродов транзисторных кристаллов, а также два вывода других электродов транзисторов, расположенные...

 Использование: в полупроводниковой электронике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит два ряда полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий...

 Использование: в полупроводниковой электронике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор (варианты) содержит два параллельных ряда полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стыковых электродов транзисторных структур, первом выводе тран...

 Использование: в полупроводниковой технике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий выводы т...

 Изобретение относится к области СВЧ-техники, в частности к устройствам для коммутации СВЧ-сигнала. Техническим результатом, на который направлено изобретение, является обеспечение возможности быстрой однократной коммутации сигнала с одного выхода на другой и обратно. Указанный технический результат достигается тем, что в СВЧ переключателе, содержащем входной 1 и выходной 2 3-х дб квадрату...

 Изобретение относится к области СВЧ-техники, а именно к способам коммутации СВЧ-цепей передачи с помощью полупроводниковых коммутаторов, выполненных на p - i - n-диодах. Техническим результатом, на который направлено изобретение, является уменьшение тока потребления и упрощение аппаратурной реализации. Указанный технический результат достигается тем, что в способе коммутации СВЧ-цепей пер...

 Использование: изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ транзисторов. Техническим результатом является обеспечение работы СВЧ транзистора в двух разнесенных диапазонах частот. Сущность изобретения: в мощном СВЧ транзисторе, содержащем одну или несколько транзисторных структур, выводы электродов каждой структуры соединены с входным и выходным электродами тр...

 Изобретение относится к области СВЧ-техники, а именно к устройствам, коммутирующим сигнал в трактах передачи СВЧ-сигнала с применением полупроводниковых приборов в качестве коммутаторов. Техническим результатом, на который направлено изобретение, является достижение высокого быстродействия на ограниченном количестве циклов замыкания - размыкания в широком диапазоне уровней коммутируемого...

 Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиолокации, радиосвязи и других областях техники, в частности для создания мощных двухполосных транзисторных усилителей СВЧ диапазона. Мощный усилительный каскад включает усилительный элемент - транзистор, однополосные цепи на входе и выходе, согласующие усилительный элемент (УЭ) с сопротивлением источника возбуждения (ИВ)...

 Изобретение относится к конструированию и производству мощных СВЧ-транзисторов. Предложен мощный СВЧ-транзистор, включающий в себя корпус с внутренним коллекторным электродом, разделенным на секции, с резисторами, смонтированными на нем и включенными последовательно между соседними секциями внутреннего коллекторного электрода, с внешним коллекторным электродом и коллекторным выводом, прис...