Чернышев Ю.Р.
Изобретатель Чернышев Ю.Р. является автором следующих патентов:

Способ уменьшения дефектности двухслойного диэлектрика в структуре проводник - нитрид кремния - окисел кремния - полупроводник
(19)SU(11)1108962(13)A1(51) МПК 6 H01L21/04(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК - НИТРИД КРЕМНИЯ - ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ - ПОЛУПРОВОДНИК Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приб...
1108962
Запоминающее устройство и способ управления им
(19)SU(11)1110315(13)C0(51) МПК 5 G11C11/34Статус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ИМ Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании интегральных микросхем запоминающего устройства (ЗУ) с энергонезависимым хранением информации. Известно запоминающее у...
1110315
Ячейка памяти
Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к запоминающим устройствам, может быть использовано в энергонезависимых ЗУ с произвольной выборкой информации и является усовершенствованием известного устройства по авт. св. N N 1115106. Целью изобретения является ускорение восстановления информации в ячейке памяти. Поставленная цель достигается тем, что в ячейку памяти введены...
1308063
Матричный накопитель на мдп-транзисторах с изменяемым пороговым включением
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при проектировании интегральных схем электрически репрограммируемых постоянных запоминающих устройств. Целью изобретения является повышение быстродействия накопителя. Поставленная цель достигается благодаря уменьшению паразитной емкости разрядной шины, время зарядки которой при считывании составляет 40 - 60% от общег...
1378681