Зеленин Ю.М.
Изобретатель Зеленин Ю.М. является автором следующих патентов:
Способ получения гидридов редкоземельных металлов, иттрия и скандия
Использование: в производстве гидридных порошков редкоземельных металлов, иттрия и скандия. Задачей изобретения являются упрощение процесса, заключающееся в замене взрывоопасного водорода на более безопасный продукт, повышение эффективности процесса за счет исключения разбавителя - сплава солей, повышение качества готового продукта. Способ заключается в термической обработке хлоридов мета...
2084398Способ определения состава фторграфитовой матрицы c2fx
Способ определения состава фторграфитовой матрицы C2FX (1,0X 0,5) достигается тем, что путем взаимодействия матрица с легколетучим растворителем ацетонитрилом или хлороформом получают соединение включения. Нагревают соединение включения. Определяют температуру фазового перехода и рассчитывают состав матрицы по формуле X=at2+bt+c, где t - температура обратимого фазового перехода, a, b, c -...
2105292Способ получения состава для аккумулирования водорода
Способ используют при получении состава на основе интерметаллического соединения LaNi5, способного обратимо поглощать водород, используемого в химических источниках тока (металлогидридных аккумуляторах). Исходные соединения лантана и никеля в инертной атмосфере в присутствии восстановителя подвергают термической обработке. В качестве исходных соединений используют безводные хлориды лантан...
2113400Способ получения боридов редкоземельных металлов
Изобретение относится к неорганической химии, а именно к способу получения боридов редкоземельных металлов, которые могут быть использованы при производстве термокатодных материалов. Способ заключается в том, что в качестве исходных соединений используют оксиды или хлориды редкоземельных металлов и бор. В качестве восстановителя используют гидрид лития. Проводят термическую обработку исхо...
2123975Способ получения силана
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике. Силан получают взаимодействием кварцита с водородсодержащим соединением при нагревании. В качестве водородсодержащего соединения используют гидрид лития. Реакцию осуществляют в атмосфере инертного газа или водорода при 690-800oС....
2194009Способ получения силана
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, а также к технологии формирования различных кремнийсодержащих слоев в микроэлектронике. Процесс происходит при взаимодействии силицида с минеральной кислотой. В качестве силицида используют силицид лития и взаимодействие проводят при комнатной температуре. В качестве минеральной кислоты используют уксусную и соляную...
2194010