ПЕТУХОВ В.Ю.

  1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, включающий введение атомов магнитных элементов с применением ионных пучков , отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности, твердости, химической стойкости и адгезии магнитной пленки к полупроводнику, бомбардировку полупроводника осуществляют ионами магнитных элементов с энергией 10500 кэВ, дозой обл...

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЧЕРНИ ДЛЯ ПОГЛОТИТЕЛЕЙ ИЗЛУЧЕНИЯ, включающий ионную бомбардировку поверхности полупроводниковой подложки, о т л №чающийся тем, что, с целью ;улучшения качества поглощаницей поверхности , в качестве материала подложки используют кремний, а бомбардировку проводят ионами переходных 3d-элементов с энергией ионов 20- 200 кэВ дозой 8« 4-10® ион/cijt и плотностью потока...