Сибирцев Л.С.
Изобретатель Сибирцев Л.С. является автором следующих патентов:

Многоэлементный полупроводниковый свч-прибор
(19)SU(11)1118242(13)A1(51) МПК 6 H01L23/367(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЧ-ПРИБОР Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым СВЧ-приборам, таким, например, как лавинно-пролетные диоды, применяе...
1118242