КОВАЛЕНКО Л.А.
Изобретатель КОВАЛЕНКО Л.А. является автором следующих патентов:
![Устройство для выращивания монокристаллов Устройство для выращивания монокристаллов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/bba17c04bcd306d0294b15143d07415e.jpg)
Устройство для выращивания монокристаллов
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОг НОКРИСТАЛЛОВ тугоплавких окислов, включакхцее герметичную камеру, размещенный в ней индуктор, тигель из благородных металлов с отверстием в донной части, установленный внутри индуктора коаксиально ему, и затравкодержатель, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства за счет увеличения срока службы тиг ,ля, его донная часть выполне...
1123326![Способ получения монокристаллов сложных окислов и устройство для его осуществления Способ получения монокристаллов сложных окислов и устройство для его осуществления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/6e4289140dd150bd95ff258c005cc7fe.jpg)
Способ получения монокристаллов сложных окислов и устройство для его осуществления
1. Способ получения монокристаллов сложных окислов, включающий плавление исходной шихты с использованием индукционного электромагнитного поля, затравливание на затравку, ее разраИзобретение относится к области выращивания монокристаллов и может быть использовано в химической и электронной промышленности при производстве высокотемпературных монокристаллов , применяемых в квантовой...
1165095![Способ выращивания кристаллов сложных оксидов Способ выращивания кристаллов сложных оксидов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/ba1af997faa66fa2d8c848f3be8ec360.jpg)
Способ выращивания кристаллов сложных оксидов
Изобретение относится к выращиванию кристалловJ может быть использовано в химической и электронной отраслях про Ф1шленности при производстве кристаллон квантовой электроники и позволяет улучшить,оптическую одиородность кристаллов. Индуктором с помощью индукционного электромагнитного поля нагревают и расплавляют .нсг.одную шгхту в тигле с отверстием Б , и в объеме между тиглем и и...
1457463![Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/32cb83220e96ddae4c4726537b0e8ae7.jpg)
Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов
Изобретение относятся к технологии вьфапушания монокристаллов для квантовой электроники. Цель - увеличение срока службы тигля. Устройство содержит тигель в виде многогранной призмы. Грани призмы состоят из нескольких параллельных пластин. Последние уст(ановлены с зазором и соединены последовательно. Каяидая грань призмы снабжена дополнительной пластиной, установленной в месте сое...
1496332