ДОНУ В.С.
Изобретатель ДОНУ В.С. является автором следующих патентов:

Способ получения слоев тройного полупроводникового соединения
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ТРОЙНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОЕДИНЕНИЯ , включающий внедрение ионов в подложку из бинарного соединения, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного слоя соединения с уменьшенным сод ержанием примесей, в плоскость 1120 низкоомного сульфида кадмия, находящегося при температуре 288308 К, внедряют ионы Ga с энергией 150-250 кэВ дозой .10см, после чего...
1123467