Шмырева А.Н.

 ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ с инверсионным слоем, содержащий полупроводниковую подложку, диэлектрический слой с встроенным зарядом и электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и стабильности параметров, диэлектрический слой выполнен из поликристаллического сегнетоэлектрика и поляризован в направлении, перпендикулярном поверхности полупроводниковой подложки. Изобретение...

 СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, включающий подложку из полупроводникового материала и металлические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования, на поверхность подложки нанесена легированная редкоземельными элементами текстурированная пленка сегнетоэлектрика, ось текстуры которой перпендикулярна поверхности подложки. Изобретение относится к полупроводниковым преобра...