Петраковский Г.А.
Изобретатель Петраковский Г.А. является автором следующих патентов:
Терморезистивный материал
Терморезистивный материал, содержащий полупроводниковое соединение на основе сульфида хрома, отличающийся тем, что, с целью повышения термочувствительности за счет снижения температуры перехода полупроводник - металл до интервала 250-320°С, он содержит в качестве полупроводникового соединения на основе сульфида хрома халькогенидное соединение хрома, отвечающее общей химической формул...
1155108Магнитоперестраиваемый твердотельный свч-генератор
1. Магнитоперестраиваемый твердотельный СВЧ-генератор, содержащий отрезок линии передачи с короткозамыкателем, в котором установлены связанные электродинамически полупроводниковый диод с отрицательной проводимостью и гиромагнитный резонатор, который размещен во внешнем магнитном поле, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона перестройки частот, гиромагнитный резонатор выполнен...
1254981Способ выращивания монокристаллов бората галлия gabo3
Использование: управляемая раствор-расплавная кристаллизация при получении GaBO3 для физического эксперимента и оптоэлектроники. Сущность изобретения: раствор-расплав, содержащий Ga2O3, B2O3, PbO - PbF2 , перегревают до 950-1000°С с перемешиванием, охлаждают до 815 - 845°С выдерживают 22 - 24 ч с перемешиванием, затем температуру поднимают до 820 - 850°С с последующим понижением по закону...
2019584Способ нанесения медного покрытия на диэлектрик
Изобретение относится к электронной и другим областям техники, где по технологии необходимо наличие проводящего покрытия на диэлектрическом материале, и может быть использовано в микроэлектронной технологии, в частности, при изготовлении микрополосковых СВЧ-устройств. Техническим результатом изобретения является упрощение технологии получения равномерного по толщине покрытия, увеличение е...
2188879Способ лазерной металлизации диэлектрической подложки
Изобретение относится к электротехнике, в частности к проводящим покрытиям на диэлектрических подложках, которые используются в микроэлектронных устройствах и, в частности в гибридных интегральных схемах СВЧ-диапазона. Техническим результатом изобретения является упрощение технологического процесса получения проводящего покрытия высокой химической чистоты на диэлектрике, увеличение прочно...
2192715