УРОДОВ БОРИС ИВАНОВИЧ

  СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ОБЪЕМНЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ОБРАЗЦАХ, включающий воздействие па образец сфокусироватюго рентгеновского излучения, направле1пгого в толщу образца, и контроль качества образца, о т л и ч а ю щи и с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей преимущественно для контроля качества готовых полупроводниковых приборов, воздействие сф...