ДОНЦОВА ЛИДИЯ ИВАНОВНА

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ, основанный на нанесении на плоскопараллельную пластину сегнетоэлектрического кристалла полос проводящего материала и последующем разделении пластины на подобные части, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготовь ления элементов, нанесение на плоскопаралллельную пластину сегнетоэлектрического кристалла полос...

  СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РЕГУЛЯРНОЙ СТРУКТУРЫ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДОМЕНОВ, включающий воздействие на пластину полярного среза сегнетоэлектрического монокристалла знакопеременными импульсами локально неоднородного по величине в плоскости полярных граней пластины электрического поля, коллинеарного направлению полярной оси монокристалла, отличающийся тем, что, с целью повьшения точности...