Панова Я.И.

 Оптический элемент памяти, содержащий сегнетоэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещен металлический электрод, на другой размещены два металлических электрода и расположенный между ними слой фотополупроводника, образующие пленочный фоторезистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, сегнетоэлектрическая подложка выполнена из монокристаллического ниобата...

 Изобретение относится к оптоэлектронике и может применяться в устройствах для регистрации, счета и длительного запоминания оптических сигналов. Целью изобретения является повышение фоточувствительности фотоприемника без увеличения энергозатрат. Фотоприемник состоит из пластины сегнетоэлектрика, на которую напылена полупроводниковая пленка. Поверх полупроводника нанесен точечный электрод....