Булгаков О.М.

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Цель изобретения - увеличение выходной мощности коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности распределения тепла. Транзистор содержит диэлектрическое основание, полупроводниковый кристалл с транзисторными ячейками, балластными резисторами и коллекторными площадками. Длина балластного резистора монотонно убыв...

 Использование: конструкции мощных ВЧ- и СВЧ- полупроводниковых приборов, обеспечивающих равномерность распределенного тепла. Сущность изобретения: контакты эмиттерных полосок с металлизацией сформированы на противоположных краях полосок, а поверхностное сопротивление RS эмиттерных полосок удовлетворяет определенному условию. 1 ил. Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в ч...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при изготовлении твердотельных приборов и их электродов. Способ включает формирование контактной площадки (КП) на подложке (П), покрытие полученной структуры слоем диэлектрика (Д), удаление Д над КП и прикрепление к КП проводника. Дополнительно способ предусматривает оставление не заполненных материалом окон в...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: обкладка кондeнcaтopa, сoeдинeннaя c вxoдным электродом транзистора, разделена на изолированные участки. Площадь каждого участка выбирается из условия минимума на рабочей частоте транзистора реактивного сопротивления согласующего LC-звена отдельной транзисторной ячейки или группы ячеек, соединенных с данным участ...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: обкладка конденсатора, соединенная с входным электродом транзистора, разделена на изолированные участки. Площадь каждого участка выбирается из условий равномерного распределения в полосе рабочих частот транзистора максимумов коэффициентов передачи мощности согласующих LC-звеньев отдельных транзисторных ячеек или...

 Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: мощная СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, базы и эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника, в которой имеются выемки, плотность распредел...

 Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием между центрами фрагментов области эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эм...

 Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощная СВЧ-транзисторная структура содержит области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием между центрами фрагментов области эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эм...

 Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит N транзисторных структур, каждая из которых включает в себя области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием между центрами фрагментов области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площадки для присоединения эмиттерного проводника. Хотя бы в одном б...

 Использование: полупроводниковая электроника. Мощный СВЧ-транзистор содержит N транзисторных структур, каждая из которых включает в себя области коллектора, базы и эмиттера с минимальным расстоянием между центрами фрагментов области эмиттера и балластный резистор, одной стороной контактирующий с металлизацией области эмиттера, а противоположной стороной контактирующий с металлизацией площ...

 Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ-транзисторе средняя площадь изолированных фрагментов контактных площадок металлизации эмиттерных и базовых областей каждого транзисторного модуля уменьшается по мере увеличения индуктивности его выходной цепи. При этом дополнительным условием является неувеличение суммарной площади изолированных фрагментов...

 Использование: в полупроводниковой электронике. Сущность изобретения: в мощном СВЧ-транзисторе суммарная площадь выемок в контактных площадках металлизации эмиттерных и базовых областей каждого транзисторного модуля, предназначенных для уменьшения паразитной емкости площадок, увеличивается по мере увеличения индуктивности его выходной цепи. Дополнительное условие на соотношение суммарных...