КУРНОСОВ А.Б.

  СУПЕРЛКМИНЕСЦЕНТНЫЙ ДИОД, включающий полупроводниковую структу: ру с полйсковой активной областью, ; расположенной, под углом к граням структуры, отличающийся тем, что, с целью стабилизации длины волны излучения и увеличения линейности ватт-амперной характеристики в области температур 300-470° К, активная область выполнена с периодически маняющейся шириной, причем период...

  I. ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР на основе полупроводниковой стрз ктуры с отражающими торцами и металличес кими контактами, включаюпрй две пассивные области, между которыми заключена активная область, образу щая с одной из них р-п-переход, отличающийся тем, что, с целью повышения выходной мощности в одномодовом режиме и диаграммы направленности, в объеме одной КЗ пассивных и активной област...

  Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых гетероструктур и может использоваться при изготовлении сверхчистых снальных слоев для полупроводниковых приборов широкого применения, в частности , для приборов интегральной оптоэлектроники и микроэлектроники. Целью изобретения является очистка многокомпонентного полупроводникового слоя. Цель достигается тем, чтб н...