PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Ткачев В.И.

Изобретатель Ткачев В.И. является автором следующих патентов:

Источник плазмы

Источник плазмы

 Источник плазмы, содержащий соосно установленные электроды и магнитную систему, отличающийся тем, что, с целью упрощения управления отклонением струи плазмы, он снабжен узлом перемещения магнитной системы относительно оси симметрии источника.

584704

Способ диагностики плазменной струи

Способ диагностики плазменной струи

 Способ диагностики плазменной струи, включающий изменение параметров струи и измерение помещенным в плазму магнитным зондом электромагнитных сигналов, возникающих в плазме при изменении параметров струи, отличающийся тем, что, с целью ускорения диагностики и повышения надежности измерений, изменение параметров струи осуществляется наложением в области перед магнитным зондом поперечного ма...

673118

Источник плазмы

Источник плазмы

 Источник плазмы, содержащий катод и охватывающий его цилиндрический анод, отличающийся тем, что, с целью управления плазменной струей, он содержит узел перемещения, по крайней мере одного из электродов относительно оси симметрии источника.

696982

Устройство для измерения реакции потока заряженных частиц

Устройство для измерения реакции потока заряженных частиц

 Устройство для измерения реакции потока заряженных частиц, содержащее чувствительный элемент, располагаемый на пути пучка, и закрепленный с возможностью перемещения, и систему для измерения перемещения чувствительного элемента, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, чувствительный элемент выполнен в виде соленоида, обмотка которого подключена к регулируемому источник...

755171

Магнитное подъемное устройство

Магнитное подъемное устройство

 Использование: в грузоподъемных устройствах для подъема и переноса грузов из ферромагнитного материала. Сущность изобретения: устройство содержит П-образный корпус-магнитопровод, к боковым стенкам которого прикреплены обращенные друг к другу одноименными полюсами постоянные магниты, подвижный в горизонтальной плоскости полюсный наконечник, соединенный посредством оси с водилом и через шар...

2014279


Способ получения сплошной пленки с алмазоподобной структурой и устройство для его осуществления

Способ получения сплошной пленки с алмазоподобной структурой и устройство для его осуществления

 Способ получая сплошной тонкой пленки с алмазоподобной структурой включает нанесение пленки на подложку из плазмы СВЧ-разряда в режиме ЭЦР в атмосфере рабочего газа или смеси газов. На подложку подается отрицательное электрическое смещение. Подложка располагается вне зоны ЭЦР. Давление 0,01-10 Па, плотность потока мощности в зоне ЭЦР 0,2-5 Вт/см. В качестве рабочего газа или одного из ком...

2105379