Ткачев В.И.
Изобретатель Ткачев В.И. является автором следующих патентов:
Источник плазмы
Источник плазмы, содержащий соосно установленные электроды и магнитную систему, отличающийся тем, что, с целью упрощения управления отклонением струи плазмы, он снабжен узлом перемещения магнитной системы относительно оси симметрии источника.
584704Способ диагностики плазменной струи
Способ диагностики плазменной струи, включающий изменение параметров струи и измерение помещенным в плазму магнитным зондом электромагнитных сигналов, возникающих в плазме при изменении параметров струи, отличающийся тем, что, с целью ускорения диагностики и повышения надежности измерений, изменение параметров струи осуществляется наложением в области перед магнитным зондом поперечного ма...
673118Источник плазмы
Источник плазмы, содержащий катод и охватывающий его цилиндрический анод, отличающийся тем, что, с целью управления плазменной струей, он содержит узел перемещения, по крайней мере одного из электродов относительно оси симметрии источника.
696982Устройство для измерения реакции потока заряженных частиц
Устройство для измерения реакции потока заряженных частиц, содержащее чувствительный элемент, располагаемый на пути пучка, и закрепленный с возможностью перемещения, и систему для измерения перемещения чувствительного элемента, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, чувствительный элемент выполнен в виде соленоида, обмотка которого подключена к регулируемому источник...
755171Магнитное подъемное устройство
Использование: в грузоподъемных устройствах для подъема и переноса грузов из ферромагнитного материала. Сущность изобретения: устройство содержит П-образный корпус-магнитопровод, к боковым стенкам которого прикреплены обращенные друг к другу одноименными полюсами постоянные магниты, подвижный в горизонтальной плоскости полюсный наконечник, соединенный посредством оси с водилом и через шар...
2014279Способ получения сплошной пленки с алмазоподобной структурой и устройство для его осуществления
Способ получая сплошной тонкой пленки с алмазоподобной структурой включает нанесение пленки на подложку из плазмы СВЧ-разряда в режиме ЭЦР в атмосфере рабочего газа или смеси газов. На подложку подается отрицательное электрическое смещение. Подложка располагается вне зоны ЭЦР. Давление 0,01-10 Па, плотность потока мощности в зоне ЭЦР 0,2-5 Вт/см. В качестве рабочего газа или одного из ком...
2105379