Сигов А.С.

 Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника, включающий формование изделия, нагрев его до 950oC, термообработку при данной температуре и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров сверхпроводника и сокращения длительности процесса, термообработку проводят в течение 50-60 мин, в процессе охла...

 Способ синтеза иттрий-бариевых купратов, включающий приготовление смеси из исходных компонентов, нагревание до 950oС, термообработку ее при данной температуре и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения содержания орторомбической фазы и сокращения длительности процесса, нагревание смеси и термообработку осуществляют путем электронного облучения, время т...

 Способ обработки иттрий-бариевых высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в облучении сверхпроводника потоком электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения значений плотности критического тока и температуры перехода в сверхпроводящее состояние, облучением потоком электронов нагревают сверхпроводник до 400-620oC и выдерживают его при этой температуре в течение 40-60 мин,...

  Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для коммутации высоких напряжений, например, во вторичных источниках электропитания. В высоковольтном транзисторном ключе, содержащем n - p - n-транзистор 1, база которого подключена к клемме напряжения смещения, МДП-транзистор с n-каналом 2, сток которого подключен к эмиттеру n - p - n-транзистора 1 и конденсатор 3, пе...

 Использование: изобретение относится к электротехнике, радиоэлектронике и предназначено для использования в преобразовательных устройствах в качестве источника вторичного электропитания с емкостным накопителем для импульсной нагрузки. Сущность изобретения: в преобразователе переменного напряжения в постоянное, содержащем трансформатор 1, выпрямитель 2, входные выводы которого подключены к...

 Использование: при преобразовании постоянных напряжений, например, для цепей питания маломощных интегральных схем. Сущность изобретения: в преобразователе постоянного напряжения, содержащем два МДП-транзистора 1, 2, один из которых 1 имеет p-, а другой 2 n-канал, два диода 3, 4, три конденсатора 5, 6, 7 и четыре резистора 8-11, достигается повышение КПД за счет введения в него дополнитель...

 Использование: для преобразования напряжений, например, для питания интегральных схем. Сущность изобретения: однотактный преобразователь напряжения содержит трансформатор 1, первичная обмотка которого через транзистор со статической индукцией 2 включена между входным и общим выводами. Затвор транзистора со статической индукцией 2 через конденсатор 8, зашунтированный диодом 5 и резистором...

 Способ получая сплошной тонкой пленки с алмазоподобной структурой включает нанесение пленки на подложку из плазмы СВЧ-разряда в режиме ЭЦР в атмосфере рабочего газа или смеси газов. На подложку подается отрицательное электрическое смещение. Подложка располагается вне зоны ЭЦР. Давление 0,01-10 Па, плотность потока мощности в зоне ЭЦР 0,2-5 Вт/см. В качестве рабочего газа или одного из ком...

 Изобретение относится к области медицины и касается биоматериалов для заполнения дефектов в кости. Фосфатный цемент содержит дикальций фосфат (ДКФ), тетракальций фосфат (ТТКФ), дополнительно содержит бикарбонат натрия, карбонат магния, окись кальция и серную кислоту, компоненты берут в определенном количественном соотношении. Фосфатный цемент позволяет заполнять пустоты и отверстия разной...