Куликовский Эдуард Владимирович (UA)

 Изобретение предназначено для получения полупроводников. Оптическую ось датчика печи располагают под углом 5-20o к плоскости, проходящей через ось выращиваемого монокристалла. Выращивают монокристалл сравнения. Положение излучения от мениска столбика расплава в подкристальной области затравки Уо = 11,5 мм. Положение излучения от мениска столбика расплава, соответствующее моменту выхода на...

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского, в частности к устройствам для повторной загрузки материала в тигель, и может быть использовано на установках выращивания монокристаллов кремния, оборудованных шлюзовым устройством для обеспечения полунепрерывного выращивания монокристаллов. Сущность изобретения: устройство включает резервуар, жестко связанн...

 Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при выращивании монокристаллов кремния из расплава по методу Чохральского. Сущность изобретения: устройство для выращивания монокристаллов кремния по методу Чохральского включает камеру выращивания монокристалла с расположенным в ней тиглем для получения расплава и вытягивания и...

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов. Способ включает формирование барийсодержащего покрытия из гидроксида бария на внутренней и/или внешней поверхности нагретого кварцевого тигля, которое формируют напылением суспензии из гидроксида бария в атмосфере воздуха на поверхности кварцевого тигля, нагретого до температуры 100-150°С. Это позволяет...