Самохвалов Владимир Александрович (UA)

 Изобретение предназначено для получения полупроводников. Оптическую ось датчика печи располагают под углом 5-20o к плоскости, проходящей через ось выращиваемого монокристалла. Выращивают монокристалл сравнения. Положение излучения от мениска столбика расплава в подкристальной области затравки Уо = 11,5 мм. Положение излучения от мениска столбика расплава, соответствующее моменту выхода на...