Савушкин Ю.А.

 Использование: для обработки изделий полупроводниковой техники в производстве гибридных интегральных схем на пластинах сапфира, рубина, поликора и другой керамики. Сущность изобретения: на рабочую поверхность инструмента наносят полирующий состав. Полирующий состав содержит алмазный порошок, глицерин и синтетическое моющее средство. В зону обработки подают разбавитель - силиказоль с 3,4 -...

  Использование: при алмазной обработке деталей при доводке пластин из материалов, взаимодействующих с водой, например из нитрида алюминия. Сущность: способ доводки деталей из материалов, взаимодействующих с водой, заключается в воздействии на детали полировальником и алмазным порошком с органическими добавками. Перед упомянутым воздействием дополнительно осуществляют доводку поверхности п...

 Использование: в механической обработке изделий электронной техники при изготовлении пластин из сапфира, рубина, керамики. Способ тонкой доводки твердых материалов на основе -2Al2O3 включает наклейку пластин на планшайбу, вращение планшайбы, воздействие на пластины вращающимся инструментом и алмазным полирующим составом, замену инструмента и воздействие на пластины вращающимся вторым инс...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, а точнее, к односторонней шлифовке полупроводниковых пластин. Устройство содержит доводочный диск с приводом вращения, установленным в корпусе устройства, спутники для наклейки пластин, средство для размещения спутников на доводочном диске, прижимной диск для нагружения пластин, соосно установленный с указанным средством, ось которого сме...

 Использование: в области алмазного и химико-механического полирования полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: в полировальнике, состоящем из доводочного диска с приводом вращения и закрепленного на его базовой поверхности полировального материала с фильтрующими свойствами, на базовой поверхности доводочного диска выполнены радиальные пазы, в которых с внешней стороны доводочного...

 Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе формирования тонких монокристаллических слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале сначала проводят термокомпрессионное соединение рабочей пластины с пластиной-носителем, при этом соотношение площадей рабочей пластины и пластины-носителя не более 0,85, затем формируют на пов...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводниковых пластин, включающем калибрование монокристалла, изготовление основного и всп...

 Способ изготовления панно для упрощения монтажа заключается в том, что в качестве плоских элементов используют полупроводниковые пластины. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. Изобретение относится к области создания художественного произведения и дизайна и касается изготовления панно, которые могут использоваться в качестве витражей, картин, вывесок, витрин, выставочных стендов в условиях серийного произв...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве пассивных плат для гибридных интегральных схем. Способ полирования включает воздействие на поверхность пластин инструмента и полирующего состава. Последний содержит алмазный порошок, глицерин и синтетическое моющее средство. При этом осуществляют дозировку в зону обработки разбавителя. Количество по...