Скупов В.Д.

 Сущность изобретения: датчик содержит кремниевую подложку со сквозным отверстием, покрытым с рабочей стороны датчика мембраной из диоксида кремния. На мембране последовательно расположены пленочный нагреватель, слой диэлектрика, газочувствительный полупроводниковый слой, а также токопроводящие контакты к нагревателю и газочувствительному слою. Отверстие в подложке заполнено окисленным пор...

  Использование в электронной промышленности при изготовлении полупроводниковых подложек. Сущность изобретения: после отрезания от слитка первой пластины с нее механическим и химическим полированием с обеих сторон удаляют нарушенный слой. На стороне, образованной при втором резе, путем царапания вдоль найденных кристаллографических направлений определяют направление с максимальной твердост...

 Использование: в микроэлектронике. Сущность изобретения: показатель преломления измеряют при нормальных условиях. Дополнительно измеряют показатель преломления при нагреве структуры до температуры 350 - 400 К и выдержке при этой температуре в течение 30 - 40 мин. Бездефектной считают пленку, у которой показатель преломления не изменяется. 2 табл. Изобретение относится к неразрушающим спос...

  Использование: в микроэлектронике для производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: проводят обработку структур кремний-пленка диоксида кремния с помощью гидростатистического давления 600 - 800 МПа в течение (7-9)103c. Давление поднимают периодически со скоростью 5 - 10 МПа/с, а сбрасывают его до атмосферного с убывающей скоростью, определяемой уравнением v = vo-(n-1)v,...

 Использование: в микроэлектронике, в частности при изготовлении радиодеталей с пленочными резистивными элементами. Сущность изобретения: на диэлектрическую подложку наносят резистивную пленку, производят низкотемпературную обработку циклически в течение 25 30 мин путем последовательного охлаждения резисторов в жидком азоте и выдержки на воздухе при комнатной температуре, при этом время пр...

 Использование: в области аналитической техники, при изготовлении полупроводниковых датчиков газов для анализа состава окружающей среды. Сущность изобретения: последовательно наносят на диэлектрическую подложку металлический пленочный нагреватель с системой контактов, разделительный пористый диэлектрический слой и газочувствительный слой. При этом перед нанесением газочувствительного слоя...

 Использование: изготовление подложек из монокристаллического кремния для создания на них дискретных полупроводниковых приборов или интегральных микросхем в микроэлектронике. Сущность изобретения: при изготовлении подложек монокристаллического кремния по известной технологии, включающей резку слитка на пластины, химическое травление и химико-механическое полирование, на рабочей стороне пла...

 Использование: в области испытательной техники, в частности в способах определения толщины нарушенного слоя кристалла. Технический результат: повышение точности определения толщины нарушенного слоя кристалла за счет исключения погрешностей, связанных с анизотропией распределения структурных дефектов. Сущность изобретения: производят послойное контролируемое стравливание поверхностных слое...

 Использование: рентгеноструктурный анализ кристаллов, в частности контроль остаточных механических напряжений и структурного совершенства полупроводниковых пластин-подложек, гомо- и гетерокомпозиций после различных технологических операций при изготовлении дискретных приборов и интегральных микросхем в твердотельной микроэлектронике. Сущность изобретения: формируют два параллельных монохр...

 Использование: производство подложек для изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Способ подготовки полупроводниковых подложек включает механическое полирование и очистку поверхности с использованием ультразвука, химико-механическое полирование рабочей стороны подложек. После механического полирования и очистки поверхности на рабочей стороне подложек путем с...

 Использование: в аналитическом приборостроении. Сущность изобретения: способ изготовления чувствительного элемента газового датчика включает нанесение пленки фталоцианина металла на электроды и последующее облучение пленки рентгеновскими лучами с энергией 150 - 200 кэВ дозой (4,5 - 9) 103 P. 1 табл. Предполагаемое изобретение относится к области аналитического приборостроения, а именно к...

 Использование: в технологии микроэлектроники, в частности, при изготовлении дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: производят периодическое облучение структур с нерабочей стороны потоком альфа-частиц от радиоизотопного источника излучения с частотой из миллигерцевого диапазона с равными полупериодами облучение-необлучение и производят регистрацию...

 Использование: измерительная техника. Сущность изобретения: способ контроля степени дефектности диэлектрических пленок за счет активации процессов перестройки дефектов в пленках включает измерение показателя преломления пленки эллипсометрическим методом при нагреве и охлаждении структур в интервале температур от комнатной до 350-400K. Перед измерениями структуры в течение 10-20 мин облуча...

 Использование: в производстве полупроводниковых приборов, а именно в технологии изготовления кремниевых пластин-подложек с низким содержанием дефектов и фоновых примесей. Сущность изобретения: производят формирование анодной обработкой в растворе фтористоводородной кислоты на нерабочей стороне подложки слоя пористого кремния, при этом во время анодирования подложки упруго деформируют изги...

 Способ формирования мембран в монокристаллической кремниевой подложке. Использование: в области технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для формирования мембран наносят защитное покрытие на поверхность кремния, производят вскрытие в защитном покрытии окон и формируют через окна на неработающей стороне подложки слой пористого кремния на заданную глубину пу...

 Использование: в области микроэлектроники для подготовки кремниевых пластин-подложек в производстве дискретных приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: предварительно пластины упруго деформируют изгибом так, чтобы рабочая сторона пластины была вогнутой, затем производят 3-х стадийный отжиг платины в деформированном состоянии в инертной атмосфере вначале при температуре из интер...

 Использование: в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем, в частности для формирования рельефа с заданной геометрией на поверхности структур при изготовлении кристаллографически ограненных канавок, лунок, мезаструктур, мембран и других трехмерных топологических элементов. Сущность изобретения: в способе анизотропного травления кристаллов кремния формируют на рабоче...

 Изобретение относится к области микроэлектроники. Производят нанесение на диэлектрическую подложку резистивной пленки, а затем циклическую низкотемпературную обработку в течение 25 - 30 мин в жидком азоте, чередующуюся с выдержкой на воздухе в течение 30 - 60 с и отжиг, причем на каждом последующем цикле обработки увеличивают длительность выдержки в жидком азоте в соответствии с математич...

 Использование: в области микроэлектроники, а именно в технологии изготовления пластин подложек из монокристаллического кремния с геттерирующими слоями. Сущность изобретения: производят механическую и химическую обработки поверхности рабочей и нерабочей сторон подложек, а затем трехстадийный отжиг при высоких и низких температурах для формирования внутреннего геттерирующего слоя, перед вто...

 Использование: в полупроводниковой технике для выявления и анализа структурных дефектов. Сущность изобретения: для выявления структурных дефектов в кристаллах кремния исследуемую поверхность кристалла облучают потоком альфа-частиц от радионуклидного источника дозой (1,2 - 7,2) 1012 см-2, производят химическое травление в избирательно действующем на дефекты растворе и выявленные дефекты п...

 Использование: в области производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: для повышения однородности распределения электрофизических характеристик подложек вдоль их рабочей стороны за счет снижения концентраций структурных дефектов и фоновых примесей в приповерхностной области на рабочую сторону пластины монокристаллического кремния наносят моноокись германия в виде пленки т...

 Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния. Технический результата: повышение чувствительности способа при контроле однородности распределения пор в слоях пористого кремния. Сущность изобретения: облучают пористую поверхность светом и регистрируют интенсивность отраженного излучения с различных участков поверхности, измеря...

 Использование: при изготовлении высококачественных пластин-подложек из монокристаллического кремния. Технический результат способа - повышение однородности распределения электрофизических характеристик кремниевых подложек вблизи их рабочей стороны. Сущность изобретения: способ включает электрохимическое формирование на одной из сторон подложек слоя пористого кремния, обработку подложек и...

 Использование: полупроводниковая техника. Сущность изобретения: способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния включает деформирование кристаллов, отжиг в деформированном состоянии, химическое травление после отжига и металлографический контроль. Деформирование осуществляют путем последовательного нанесения на исследуемую поверхность кристалла равнотолщинных пленок сначала мон...

 Использование: технология микроэлектроники для оценки качества слоев диоксида кремния, выращенных на кремниевых подложках. Технический результат способа - повышение чувствительности и экспрессности эллипсометрического контроля пористости пленок диоксида кремния. Сущность изобретения: регистрируют изменения показателя преломления пленки, измеряемого эллипсометрическим методом при нормальны...