PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Покрышкин А.И.

Изобретатель Покрышкин А.И. является автором следующих патентов:

Устройство для контроля качества поверхности полупроводниковых подложек

Устройство для контроля качества поверхности полупроводниковых подложек

 Устройство для контроля качества поверхности полупроводниковых подложек, содержащее смонтированный на станине предметный столик, расположенные на одной оптической оси лазер, коллиматор и полупрозрачное зеркало, видикон и видеоконтрольное устройство, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения качества контроля, оно дополнительно снабжено механизмом разделения п...

1105022

Устройство для измерения характеристик мдп-структур

Устройство для измерения характеристик мдп-структур

 Устройство для измерения характеристик МДП-структур, содержащее генератор тестового сигнала и генератор напряжения смещения, выход которых соединены с первой клеммой для подключения испытуемой структуры, вторая клемма для подключения которой соединена с первым выводом резистора, второй вывод которого соединен с общей шиной, усилитель напряжения, вход которого также соединен со второй клем...

1143197

Устройство для импульсной стабилизирующей обработки пленочных резисторов

Устройство для импульсной стабилизирующей обработки пленочных резисторов

 Устройство для импульсной стабилизирующей обработки пленочных резисторов, содержащее генератор импульсов обработки, блок синхронизации, компаратор, первую и вторую контактные клеммы для подключения резистора, причем вторая контактная клемма соединена с общей шиной, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки, оно дополнительно снабжено источником постоянного тока, усилител...

1457683

Способ измерения напряжения инверсии мдп-структур

Способ измерения напряжения инверсии мдп-структур

 Способ измерения напряжения инверсии МДП-структур, включающий подачу на МДП-структуру линейно изменяющегося напряжения смещения, высокочастотного измерительного напряжения, выделение напряжения, пропорционального емкости МДП-структуры, дифференцирование этого напряжения, измерение величины производной, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения напряжения инверсии, напряж...

1464810