Марков Виктор Анатольевич[UA]

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда. Сущность изобретения: в качестве ячейки памяти применяют МДП-транзистор, содержащий боковой спейсерный затвор. Диэлектриком под боковым затвором служит структура SiO2-...

 Накопитель запоминающего устройства относится к бесконтактным накопителям энергонезависимых ячеек памяти и может быть использовано в микроэлектронике для создания ПЗУ, РПЗУ, и ЭРПЗУ повышенной информационной емкости. Технический результат достигается тем, что используется коммутация ячеек памяти накопителя, которая позволяет в два раза уменьшить количество шин металлизации. Это становится...