Малаховский О.Ю.

 Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор с барьером Шоттки на фосфиде индия, содержит контакт металл-фосфид индия, сформированный в окне диэлектрика и защитного эпитаксиального слоя твердого раствора InxGa1-x As (0x0,53), нанесенного в процессе эпитаксиального роста на рабочий слой InP. 1 ил. Изобретение относится к полупроводниковой эле...