Божков В.Г.

 Использование: в качестве самоуправляемого сверхвысокочувствительного (СВЧ) ограничителя малого и среднего уровня мощности и импульсных помех. Сущность изобретения: в СВЧ-ограничителе, содержащем диодную матрицу, расположенную поперек волновода с четным числом столбцов и конденсатор, диоды в столбцах включены последовательно, в четных - в одном направлении, в нечетных - в противоположном,...

 Использование: в полупроводниковой электронике, в частности, в приборах с балочными и объемными выводами при создании смесительных, детекторных и других СВЧ-диодов и диодов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн. Сущность изобретения: в слое эластичного диэлектрика, расположенного под анодными и катодными выводами и являющимся несущей основой диода, убирается его централь...

 Использование: в приемных устройствах сантиметрового и миллиметрового диапазона волн для защиты их входных цепей от воздействия мощных радиоимпульсных помех. Сущность изобретения: устройство содержит отрезок волновода, размещенную поперек волновода матрицу из четного числа столбцов последовательно соединенных диодов с барьером Шоттки. Столбцы диодов расположены параллельно узким стенкам в...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при создании интегральных схем СВЧ, прежде всего схем миллиметрового диапазона длин волн, и в особенности его коротковолновой части. Сущность изобретения: интегральная схема СВЧ содержит отрезки линий передачи, элементы согласования, активные и пассивные элементы, сформированные на изолированных кристаллах. В...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при создании монолитных интегральных схем СВЧ и прежде всего схем миллиметрового диапазона длин волн. Цель изобретения - уменьшение потерь СВЧ мощности и упрощение монтажа монолитной схемы в волноводный узел. Цель достигается тем, что в качестве несущей конструкции схемы используется ее металлизация, при этом...

 Использование: полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор с барьером Шоттки на фосфиде индия, содержит контакт металл-фосфид индия, сформированный в окне диэлектрика и защитного эпитаксиального слоя твердого раствора InxGa1-x As (0x0,53), нанесенного в процессе эпитаксиального роста на рабочий слой InP. 1 ил. Изобретение относится к полупроводниковой эле...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при создании монолитных интегральных схем СВЧ и прежде всего схем миллиметрового диапазона длин волн, монтируемых в волноводный узел. Согласно изобретению в процессе разделения пластины на отдельные схемы каждый кристалл, содержащий отдельную схему, селективным травлением разделяют на совокупность кристаллов м...

 Использование: при создании переключателей (выключателей), модуляторов, фазовращателей и других модулей СВЧ, при создании устройств КВЧ-диапазона с гибридными и монолитными интегральными схемами, выполненными по технологии finline, т. е. размещаемыми в продольном сечении (Е-плоскости) волновода. В СВЧ-модуле отдельные участки (элементы) схем располагаются по разные стороны металлической п...

 Изобретение относится к радиотехнике, конкретно к диодным генераторам миллиметрового диапазона длин волн. Техническим результатом является упрощение настройки за счет обеспечения широких пределов согласования импедансов диода и волновода, унификация конструкции при генерации гармоник, уменьшение нестабильности частоты за счет повышения добротности резонансной цепи, а также расширение возм...

 Изобретение относится к СВЧ-радиоэлектронике и может быть использовано в качестве волноводного выключателя или импульсного модулятора дециметрового, сантиметрового и миллиметрового диапазонов волн. Сущность изобретения состоит в том, что в волноводном выключателе, содержащем отрезок волноводно-щелевой линии, вдоль щелевой линии размещено 10-20 шунтирующих щелевой зазор цепочек, каждая из...