СУГАИ Хидео (JP)

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: способ получения тонкой полупроводниковой пленки включает в себя стадии введения газа-источника в вакуумную камеру и разложения газа с использованием высокочастотной индуктивно-связанной плазмы, генерируемой за счет подачи высокочастотной энергии, и формирование заданной тонкой полупроводниковой пленки на подложке с помощью процесса х...