Михаленко А.А.

 (19)SU(11)1152475(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к технологии изготовления оптически...

  Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к технологии изготовления оптических элементов. Цель изобретения получение генерации в области 0,64 0,72 мкм и увеличение срока службы лазера в указанном диапазоне. Данный способ изготовления лазерной среды заключается в том, что кристалл фторида лития с примесью магния подвергается облучению при температуре от 196°С до 40°С дозами...

 Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к способам изготовления оптических элементов, служащих для генерации и усиления перестраиваемого по частоте излучения, а также управления параметрами излучения лазеров. Цель изобретения увеличение фотоустойчивости рабочих центров окраски с одновременным расширением спектрального диапазона рабочих длин волн. В процессе облучен...