Повстяный Владимир Григорьевич (UA)

 Изобретение относится к выращиванию монокристаллов кремния по методу Чохральского, в частности к устройствам для повторной загрузки материала в тигель, и может быть использовано на установках выращивания монокристаллов кремния, оборудованных шлюзовым устройством для обеспечения полунепрерывного выращивания монокристаллов. Сущность изобретения: устройство включает резервуар, жестко связанн...

 Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов и может быть использовано при выращивании монокристаллов кремния из расплава по методу Чохральского. Сущность изобретения: устройство для выращивания монокристаллов кремния по методу Чохральского включает камеру выращивания монокристалла с расположенным в ней тиглем для получения расплава и вытягивания и...