Журавлев К.С.

 Способ контроля полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур, основанный на облучении образца с одной стороны импульсами электромагнитного излучения с интенсивностью I, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения чувствительности, образец облучают импульсами электромагнитного излучения с такой же интенсивностью I с противоположной стороны, но сдвинутыми по фазе на 180o, измеря...