ГЛАДКИХ И.М.

  ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИН/УОЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку проводимости, в приповерхностном слое которой расположены три области л-типа проводимости, на поЕзерхности полупроводниковой подложки расположены первый и второй диэлектрические слои с мастичным перекрытием первой и третьей областей проводимости, третий диэлектрический слой расположен между п...

  Изобретение откосится к микроэлектронике и может быть использова но при-изготовлении пол шроводнико- .вых приборов и интегральных микро- . схем. Цель изобретения - повышение быстродействия и помехоустойчивости элемента памяти. Для этого цель в процессе изготовления элемента памяти наноснт третий слой поликремния, проводят окисленр е третьего слоя поликремния с образованием пятого...