PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Барейкене Р.М.

Изобретатель Барейкене Р.М. является автором следующих патентов:

Токопроводящий материал для элементов памяти

Токопроводящий материал для элементов памяти

 Токопроводящий материал для элементов памяти на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12O31 n H2O, или изополиванадат молибдата (вольфрамата) гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12ЭyO31 n H2O, г...

1160907