Барейкене Р.М.
Изобретатель Барейкене Р.М. является автором следующих патентов:
Токопроводящий материал для элементов памяти
Токопроводящий материал для элементов памяти на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12O31 n H2O, или изополиванадат молибдата (вольфрамата) гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12ЭyO31 n H2O, г...
1160907