Сейдман Л.А.

 (19)RU(11)1163656(13)C(51)  МПК 5    C23C14/32Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: учтена за 3 год с 01.05.1995 по 30.04.1996(54) СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО РЕАКТИВНОГО НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам получения тонких пленок плазменным реактивным нанесением в вакууме. Известен спос...

 Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для нанесения защитных покрытий и пленочных элементов интегральных микросхем. Цель изобретения - повышение воспроизводимости свойств пленок. Для осаждения пленок нитрида кремния распыляли мишень из монокристаллического кремния. Магнетронным источником устанавливали ток разряда 1,5 А. В процессе очистки в среде а...

  Изобретение может быть использовано для изготовления изделий полупроводниковой техники. Цель изобретения - повышение воспроизводимости процесса распыления мишени. Мишень (М) 2 закреплена на катоде 1. Полюсные наконечники 5 и 6 магнитной системы 4 расположены с зазором один относительно другого и с эксцентриситетом относительно оси симметрии М 2 перпендикулярно ее плоскости. Установка М 2...

 Использование: микроэлектроника, технология изготовления полупроводниковых структур для снижения механических напряжений в структурах. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых полупроводниковых структур включает формирование на поверхности по крайней мере одной из двух кремниевых пластин слоя тугоплавкого металла, а на поверхности другой пластины слоя полупроводникового матери...