БАН Хио-донг (KR)
Изобретатель БАН Хио-донг (KR) является автором следующих патентов:
Способ изготовления полупроводникового запоминающего устройства, имеющего самовыравненный контакт
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых запоминающих устройств. Сущность изобретения: предложен способ изготовления полупроводникового запоминающего устройства, в котором разрядная шина и электрод хранения конденсатора соединяются с активной зоной полупроводниковой подложки соответственно через контактную площадку, образованную самовыравнивающим образом. Способ включает...
2190897