Венков Б.В.

 1. Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним, включающий нанесение диэлектрической пленки на кремниевую подложку, осаждение первого слоя поликремния, вскрытие окон в поликремнии и диэлектрике, осаждение второго слоя поликремния, термообработку, формирование поликремниевой разводки и металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки диффузионных...

  Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС. Цель изобретения повышение быстродействия транзисторов и упрощение технологии их изготовления. Для этого транзисторы создают на основе кремниевых эпитаксиальных структур со скрытым слоем одного типа проводимости с эпитаксиальным слоем, причем эпитаксиальный слой выполняет функцию...

  Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МДП-транзисторов интегральных схем. Цель изобретения увеличение плотности компоновки и повышение быстродействия МПД-транзисторов за счет совмещения контактных областей шин стока и истока с областями затвора, а также уменьшения площади перекрытия контактных областей стока и истока с областями за...