Манжа Л.П.

 1. Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним, включающий нанесение диэлектрической пленки на кремниевую подложку, осаждение первого слоя поликремния, вскрытие окон в поликремнии и диэлектрике, осаждение второго слоя поликремния, термообработку, формирование поликремниевой разводки и металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки диффузионных...

 1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование n+ скрытых слоев, наращивание эпитаксиальной пленки, создание противоканальных p+-областей, диэлектрической изоляции, формирование активных областей структур в эпитаксиальной пленке, осаждение пленки поликристаллического кремния для изготовления резисторов, ее легирование, формирование резистивных областей, формирование диэ...

 Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам изготовления интегральных схем высокой степени интеграции. Целью изобретения является повышение плотности компоновки элементов интегральных схем за счет уменьшения межэлектродных расстояний и уменьшения числа фотолитографических операций за счет последовательного травления второго слоя поликристаллического кремния и диэлектриче...

 Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МОП-транзисторов сверхбольших интегральных схем. Цель - увеличение плотности компоновки МОП-транзисторов и уменьшение количества фотолитографических операций за счет формирования электродов к области истока, стока и затворной области анизотропным травлением. В кремниевой подложке формиру...