Павельев Д.Г.

 Полупроводниковый СВЧ диод, содержащий полупроводниковую меза-структуру, расположенную на диэлектрической пластине, омический и барьерный контакты и расположенные на краях диэлектрической пластины пленочные металлические выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих часто пленочные металлические выводы расположены на стороне диэлектрической пластины, контактирующей с...

 Полупроводниковый СВЧ-диод по авт. св. 1178272, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочей частоты путем уменьшения последовательного сопротивления диода, наружная поверхность мезаструктуры снабжена металлическим барьерным контактом, соединенным с пленочным металлическим выводом омического контакта.

 Изобретение предназначено для работы в усилителях и генераторах СВЧ и в сверхбыстродействующих переключательных схемах. Цель изобретения состоит в повышении предельной частоты генерации транзистора. Транзистор содержит монокристаллическую подложку с мезаструктурой, состоящей из двух слоев. На слое n-типа выполнены барьерные контакты, один из которых включен в прямом направлении и является...