Пузыревич А.Г.
Изобретатель Пузыревич А.Г. является автором следующих патентов:
Способ рентгеноспектрального микроанализа состава вещества с ионным возбуждением
Изобретение относится к рентгеновскому анализу состава вещества, особенно к микроанализу с возбуждением рентгеновского излучения определяемых элементов пучком ионов. Цель изобретения - повышение точности анализа за счет контроля энергии ионов. Способ включает попеременное облучение потоком ионов образца анализируемого вещества и стандартного образца из двухкомпонентного материала, содержа...
1521035Источник ионов
Изобретение относится к разработке источников ионов и может найти применение в радиационной физике, для модификации физико-химических свойств металлов и сплавов, диэлектриков и полупроводников методом ионной имплантации. Цель изобретения - упрощение устройства. Источник ионов содержит цилиндрические коаксиально расположенные анод, поджигающий электрод, катододержатель, катод, выполненный...
1531745Способ имплантации ионов и устройство для его осуществления
Изобретение относится к технической физике, в частности к радиационному материаловедению, и может быть использовано для улучшения электрофизических, химических и механических свойств приповерхностных слоев металлов и сплавов, полупроводников и др. материалов. Цель изобретения расширение функциональных возможностей и повышение точности измерения дозы внедренной примеси при имплантации. Ус...
1609381Способ подготовки субстрата для выращивания грибов
Изобретение относится к подготовке субстрата для выращивания грибов и предназначено для стерилизации субстрата. Целлюлозосодержащий сбстрат получают потоком энергии, в качестве которой используют пучок ускоренных электронов или рентгеновское излучение дозой не менее 8 Мрад. Обработка субстрата пучком ускоренных электронов обогащает его продуктами разложения целлюлозы, полностью освобождае...
2105459