ГОГОЦИ ЮРИЙ ГЕОРГИЕВИЧ
Изобретатель ГОГОЦИ ЮРИЙ ГЕОРГИЕВИЧ является автором следующих патентов:
![Связующее Связующее](https://img.patentdb.ru/i/200x200/5812e7846b0172b51836469129c59b66.jpg)
Связующее
СВЯЗУК)ЩЕЕ, включающее эфир ортокремниевой кислоты, соляную кислоту , добавку и воду, отличающееся тем, что, с целью уменьшения усадки и хрупкости образцов в обжиге, оно содержит в качестве добавки кубовые остатки высших жирных спиртов при следующем соотношении компонентов, мас.%: Эфир ортокремниевой 60-92 кислоты 0,2-0,85 Соляная кислота Кубовые остатки высших жирных 0,005-0,65...
1184839![Смазка для прессования антифрикционных изделий Смазка для прессования антифрикционных изделий](https://img.patentdb.ru/i/200x200/66580f12e3b8a571fe95cf504a6a8669.jpg)
Смазка для прессования антифрикционных изделий
Изобретение относится к смазочным составам, в частности к смазке для прессования антифрикционных изделий. Цель - снижение коэффициента трения. Смазка имеет следующее соотношение компонентов, мас.%: фториды металлов, выбранных из группы, включающей кальций, стронций, алюминий, лантан, церий, неодим, празеодим 40-60 нитрид алюминия 10-20 нитрид бора остальное. Смазка позволяет получ...
1549988![Способ получения ультрадисперного порошка а @ n Способ получения ультрадисперного порошка а @ n](https://img.patentdb.ru/i/200x200/2b14ed940de54b66574422756c387a32.jpg)
Способ получения ультрадисперного порошка а @ n
Изобретение относится к способу получения ультрадисперсного порошка нитрида алюминия, применяемому в радиотехнической и электронной промышленности в каче стве материала для подложек интегральных схем, и позволяет путем карботермическою восстановления азотирования при 1200 1400°С гранул у АЬ Оз с размером частиц 0,01 - 0,1 мкм, полученных криохимическим методом с последующ...
1654258![Материал для нанесения покрытия на графитовые пресс-формы Материал для нанесения покрытия на графитовые пресс-формы](https://img.patentdb.ru/i/200x200/156f31255f38869d932cde842f9bcd28.jpg)
Материал для нанесения покрытия на графитовые пресс-формы
Изобретение относится к покрытиям для графитовых пресс-форм при горячем прессовании порошков тугоплавких соединений и металлов. Цель - увеличение срока службы графитовых пресс-форм и повышение плотности покрытия. Предложенный материал на основе нитрида бора также содержит нитрид алюминия и связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%: нитрид алюминия 5 - 15 золь этилсили...
1668446![Шихта для изготовления керамики на основе нитрида кремния и способ изготовления керамики Шихта для изготовления керамики на основе нитрида кремния и способ изготовления керамики](https://img.patentdb.ru/i/200x200/cb73290ace56a00892798af82868589b.jpg)
Шихта для изготовления керамики на основе нитрида кремния и способ изготовления керамики
Изобретение относится к получению инструментальной керамики и позволяет повысить прочность, твердость и трещиностойкость изделий из нее. Для этого в шихту, включающую кремний, дисперсно-упрочняющую добавку - нитрид титана 0,5 - 20,0 мас.%, активатор спекания - алюмоиттриевый гранат 1,0 - 7,0 мас.% вводят гидрид титана TIH<SB POS="POST">N</SB> 5,0 - 30,0 мас.%, где N&ge...
1669900![Способ выбора оптимальных режимов термообработки керамики на основе нитрида кремния Способ выбора оптимальных режимов термообработки керамики на основе нитрида кремния](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7a323f6654516d95ea3d4bb5ecad4a1c.jpg)
Способ выбора оптимальных режимов термообработки керамики на основе нитрида кремния
Изобретение относится к способам выбора оптимальных режимов термообработки керамики на основе нитрида кремния. Целью изобретения является упрощение выбора режимов термообработки, обеспечивающей повышение прочности и стойкости керамики к окислению. Для этого устанавливают зависимость прироста массы керамики при нагреве от температуры и времени. Температуру термообработки выбирают...
1684265![Полупроводниковый материал Полупроводниковый материал](https://img.patentdb.ru/i/200x200/380aa095249ab98ebbac2ac8c0e1f2fe.jpg)
Полупроводниковый материал
Изобретение относится к твердотельной электронике, конкретно к технологии получения монокристаллических твердых растворов на основе карбида кремния. Материал на основе эпитаксиальных слоев гетеровалентного твердого раствора имеет состав (SiC)i-x(Nbc)x, где О Х {. Ширина запрещенной зоны меньше, чем у карбида кремния. Материал имеет радиационную и химическую стойкость и стабильнос...
1730219