Гергель В.А.

 Применение: относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления полевых транзисторов Шоттки. Сущность: полевой транзистор Шоттки, у которого исток, сток и электрод затвора выполнены на -легированной структуре, включающей полуизолированную подложку из арсенида галлия и d-легированный слой n - типа проводимости, отделенный от подложки и свободной поверхности слоями арсен...

 Применение: изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении ИС на арсениде галлия. Сущность: структура включает субмикронный буферный слой, расположенный между подложкой и субмикронным слоем арсенида галлия n - типа проводимости. Буферный слой выполнен в виде последовательности чередующихся слоев арсенида галлия одного типа проводимости и -легированного...

 Использование: для изготовления полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник. Сущность изобретения: способ изготовления полевого транзистора с периодически легированным каналом заключается в том, что перед формированием затвора полевого транзистора для увеличения крутизны в N раз и увеличения рабочей частоты в 2N раз кремниевого n-канального полевого транзистора выбирают...